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1、湿电子化学品是重要的电子信息材料之一

1.1、湿电子化学品的核心要素是超净、高纯及功能性

湿电子化学品是电子行业湿法制程的关键材料。湿电子化学品属于电子化学品领域的一个分支，是微电子、光电子湿法工艺制程（主要包括湿法蚀刻、清洗、显影、互联等）中使用的各种液体化工材料。超净高纯试剂是在通用试剂基础上发展起来的纯度最高的试剂，其杂质含量较优级试剂低几个数量级。湿电子化学品是对“电子级试剂”、“超净高纯化学试剂”更为合理准确的表达。国内的超净高纯试剂，在国际上通称为工艺化学品（ProcessChemicals），在美国、欧洲和我国台湾地区称为湿化学品（WetChemicals），是指主体成分纯度大于99.99%，杂质离子和微粒数符合严格要求的化学试剂，其纯度和洁净度对电子元器件的成品率、电性能和可靠性有十分重要的影响。

按照组成成分和应用工艺不同，湿电子化学品可分为通用性和功能性湿电子化学品。通用湿电子化学品以超净高纯试剂为主，一般为单组份、单功能、被大量使用的液体化学品，按照性质划分可分为：酸类、碱类、有机溶剂类和其他类。酸类包括氢氟酸、硝酸、盐酸、硫酸、磷酸等；碱类包括氨水、氢氧化钠、氢氧化钾等；有机溶剂类包括甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙酸乙酯等；其他类包括双氧水等。功能湿电子化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的复配类化学品，即在单一的超净高纯试剂（或多种超净高纯试剂的配合）基础上，加入水、有机溶剂、螯合剂、表面活性剂混合而成的化学品。例如剥离液、显影液、蚀刻液、清洗液等。由于多数功能湿电子化学品是复配的化学品，是混合物，它的理化指标很难通过普通仪器定量检测，只能通过应用手段来评价其有效性。

随着电子元器件制作要求的提高，相关行业应用对湿电子化学品纯度的要求也不断提高。为了适应电子信息产业微处理工艺技术水平不断提高的趋势，并规范世界超净高纯试剂的标准，国际半导体设备与材料组织（SEMI）将湿电子化学品按金属杂质、控制粒径、颗粒个数和应用范围等指标制定国际等级分类标准。湿电子化学品在各应用领域的产品标准有所不同，光伏太阳能电池领域一般只需要G1级水平；平板显示和LED领域对湿电子化学品的等级要求为G2、G3水平；半导体领域中，集成电路用湿电子化学品的纯度要求较高，基本集中在G3、G4水平，分立器件对湿电子化学品纯度的要求低于集成电路，基本集中在G2级水平。一般认为，产生集成电路断丝、短路等物理性故障的杂质分子大小为最小线宽的1/10。因此随着集成电路电线宽的尺寸减少，对工艺中所需的湿电子化学品纯度的要求也不断提高。从技术趋势上看，满足纳米级集成电路加工需求是超净高纯试剂今后发展方向之一。

1.2、湿电子化学品行业：上承基础化工，下接电子信息

1.2.1、湿电子化学品位于电子信息产业链的前端

湿电子化学品位于电子信息产业偏中上游的材料领域。湿电子化学品上游是基础化工产品，下游是电子信息产业（信息通讯、消费电子、家用电器、汽车电子、LED、平板显示、太阳能电池、军工等领域）。湿电子化学品的生产工艺主要采用物理的提纯技术及混配技术，将工业级的化工原料提纯为超净高纯化学试剂，并按照特定的配方混配为具有特定功能性的化学试剂。湿电子化学品行业是精细化工和电子信息行业交叉的领域，其行业特色充分融入了两大行业的自身特点，具有品种多、质量要求高、对环境洁净度要求苛刻、产品更新换代快、产品附加值高、资金投入量大等特点，是化工领域最具发展前景的领域之一。

湿电子化学品对包装、运输的要求极高，行业具有一定的区域性。湿电子化学品大多属于易燃、易爆、强腐蚀的危险品，所以不仅要求产品在贮存的有效期内杂质及颗粒不能有明显的增加，而且要求包装后的产品在运输及使用过程中对环境不能有泄露的危险。目前最广泛使用的材料是高密度聚乙烯（HDPE）、四氟乙烯和氟烷基乙烯基醚共聚物（PFA）、聚四氟乙烯（PTFE）。HDPE对多数超净高纯试剂的稳定性较好，而且易于加工，并具有适当的强度，因而它是超净高纯试剂包装容器的首选材料，HDPE的关键是与大多数酸、碱及有机溶剂都不发生反应，也不渗入聚合物中。对于使用周期较长的管线、贮管、周转罐等，可采用PFA或PTFE材料做内衬。超净高纯试剂在运输过程中极易受污染，同时对运输工具也有较高要求，运输成本也较高。为了保证稳定供应高品质湿电子化学品，湿电子化学品生产企业往往围绕下游制造业布局，以减少运输距离。湿电子化学品行业的区域性决定了其发展水平与该地区的电子产业发展水平呈正相关。

“生产者-使用者-废液处理者”构成湿电子化学品闭环交易新模式。湿电子化学品的闭环交易模式在国外早有应用，通过引入高水平废液再生提炼纯化商，一方面解决了化学品使用者的废液处理问题，另一方面也能相应降低化学品生产者的生产成本，是较为先进的生产模式。随着国内液晶产业的发展，国内液晶面板厂商也开始广泛采用该模式，如“江化微-中电熊猫-默克电子”的合作，江化微向中电熊猫供应正胶剥离液，苏州默克将使用后的废液进行回收提纯处理，江化微采购该类回收液，根据技术和功能性要求，添加部分新液后进行纯化、混配，实现再生利用、绿色生产。江化微的闭环模式主要是由产品特点所决定：正胶剥离液为混配产品，生产工艺具有独特性，因此即使是废液回收处理后，由于内部配比关系，回收液通过再加工也只能被原生产企业和最终客户循环使用。

1.2.2、高技术壁垒赋予湿电子化学品较高的附加值

源于大宗：湿电子化学品的成本构成中原材料占比较高。湿电子化学品的原材料种类较多，主要包括氢氟酸、硫酸、硝酸、盐酸、氢氧化钾、氢氧化钠、有机溶剂等基础化工产品以及其他各类添加剂。湿电子化学品企业的成本构成呈现出“料重工轻”的结构特点，直接材料成本占营业成本的比重普遍在70%-90%，因此原材料价格波动会对湿电子化学品的生产成本有较大影响。我国化学工业经过多年发展，已建立了较为完善的化工工业体系，这使得我国基础化工原料品种齐全。从量上看，湿电子化学品对上游原材料的采购占上游行业总体的供给比例非常小，上游原材料供给较为充足。从价格上分析，基础化工受到上游基础原料产业如原油、煤炭及采矿冶金、粮食等行业的影响，近几年价格有所波动。总体上看，湿电子化学品价值占其下游电子产业链价值比重较低，同时产品技术等级越高，则产品的附加值越高，企业的议价能力越强，所以原材料对湿电子化学品企业盈利水平的影响可控。

不同于大宗：湿电子化学品的高附加值源于精密纯化与混配技术。湿电子化学品是化学试剂中对纯度要求最高的领域，对生产的工艺流程、生产设备、生产的环境控制、包装技术都有非常高的要求，具备较高的技术门槛。与工业级化学品的合成工艺不同，湿电子化学品在整个生产过程中主要工艺为纯化工艺和配方工艺，该两大关键技术工艺基本为精密控制下的物理反应过程，较少涉及化学反应过程，不存在高污染、高耗能的情况。同时，湿电子化学品的工艺水平和产品质量直接对电子元器件的功能构成重要影响，进而通过产业传导影响到终端整机产品的性能，因此湿电子化学品具有附加值高的特点。以江化微为例，其超净高纯硝酸的平均售价一般为2,-2,元/吨，而工业级纯化原料的价格一般为1,-1,元/吨，提纯处理后的产品价值量显著提升。功能湿电子化学品的生产工艺更为复杂，除了提纯外还有混配的过程，对产品的配方、制作参数的选择均十分考验生产商的技术实力与生产经验。我们分别比较了江化微和润玛股份单酸、混酸产品的毛利率，可见混配产品与单一纯化产品相比具备更高的盈利水平。

（1）纯化工艺的核心是提纯技术和分析检测技术

分离纯化技术主要用于去除杂质，对化学品进行分离提纯以得到合格产品的过程，其关键是针对不同产品的不同特性采取对应的提纯技术。目前国内外制备超净高纯试剂常用的提纯技术主要有精馏、蒸馏、亚沸蒸馏、等温蒸馏、减压蒸馏、低温蒸馏、升华、气体吸收、化学处理、树脂交换、膜处理等技术。不同的提纯技术适应于不同产品的提纯工艺，有的提纯技术如亚沸蒸馏技术只能用于制备量少的产品，而有的提纯技术如气体吸收技术可以用于大规模的生产。检测分析技术是超净高纯试剂质量控制的关键技术，根据不同的检测需要可以分为颗粒分析测试技术、金属杂质分析测试技术、非金属分析测试技术等，目前分别发展到激光光散法、电感耦合等离子体—质谱法（ICP-MS）、离子色谱法。

（2）混配工艺的关键在于配方，需要长期经验积累

混配工艺是将纯化成品经过检测后，再进行过滤、精密混配的工艺过程，混配工艺是满足下游客户对湿电子化学品功能性要求的关键工艺之一。混配类产品的核心在于配方，装置通用性强，满足一定条件下，产能可互相通用转换。而配方的形成需要企业有丰富的行业经验，通过不断的调配、试制及测试才能完成，甚至还需要对客户的技术工艺进行实地调研，才能实现满足客户需要的功能性产品的研发。因此混配工艺高度依赖企业的技术和经验。

1.2.3、湿电子化学品盈利差异体现在产品等级不同

湿电子化学品跟随下游电子信息产业快速更新换代。湿电子化学品作为电子行业的配套行业，与下游行业结合紧密，素有“一代材料、一代产品”之说。湿电子化学品下游应用行业主要有半导体、光伏太阳能电池、LED、平板显示等，下游应用行业的未来发展趋势对湿电子化学品行业有较大的影响。由于电子产业发展速度非常快，产品更新换代也很快。新产品的工艺特点和技术要求都会发生变化，这就要求湿电子化学品与之同步发展，以适应其不断推陈出新的需要。以集成电路制造为例，根据摩尔定律，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。集成电路性能与半导体制程紧密联系，应用于集成电路的湿电子化学品从G2等级发展至G5等级。

产品等级与应用领域对湿电子化学品的盈利能力有较大影响。通用湿电子化学品的定价模式主要为市场定价，高等级产品和功能湿电子化学品的议价能力较强，以国际价格为参考并根据企业自身研发成本进行定价。成本方面，主要原材料均为大宗商品，价格公允透明。因此，国内湿电子化学品厂商的盈利差异主要体现在产品等级与应用领域的不同。目前，我国湿电子化学品应用领域主要分为三大类，即半导体市场、光伏市场、平板显示器市场。整体而言，半导体市场对湿电子化学品生产商的技术实力与生产经验要求最高，故该领域竞争激烈程度相对较低，毛利率最高。光伏太阳能领域对产品纯度要求低，进入壁垒低，毛利率较低。以江化微为例，年半导体芯片、显示面板、太阳能电池三大市场的产品毛利率分别为41.47%、23.58%、27.34%，受产品竞争加剧以及面板价格下滑的影响，显示面板用湿电子化学品的利润空间有所压缩，毛利率较年减少6.27%。

认证采购模式使湿电子化学品具备一定的客户壁垒。湿电子化学品有技术要求高、功能性强、产品随电子行业更新快等特点，且产品品质对下游电子产品的质量和效率有非常大的影响。因此，下游电子元器件生产企业对湿电子化学品供应商的质量和供货能力十分重视，常采用认证采购的模式，需要通过送样检验、技术研讨、信息回馈、技术改进、小批试做、大批量供货、售后服务评价等严格的筛选流程，而在大尺寸面板，半导体集成电路等高端领域要求更加严格。同时，湿电子化学品尽管在下游电子元器件中成本占比很小，因此一旦与下游企业合作，就会形成稳定的合作关系，这会对新进入者形成较高的客户壁垒。

2、三大应用领域齐发力，湿电子化学品需求持续增长

2.1、半导体：大尺寸晶圆厂投产拉动湿电子化学品需求

2.1.1、湿电子化学品在晶圆加工中充当清洗和蚀刻功效

湿电子化学品主要有清洗和蚀刻两大类用途。湿电子化学品在半导体制造领域的应用，主要在集成电路和分立器件制造用晶圆的加工方面，还包括晶圆加工前的硅片加工以及后端的封装测试环节。集成电路的制造工艺十分复杂，大体上可以分为光刻（Lithograph）、蚀刻（Etch）、氧化（Oxidation）、薄膜（Thinfilm）、化学机械平坦化研磨（CMP）、扩散（DIFF）等几个部分，其中光刻、蚀刻以及辅助性的清洗/表面预处理工序均需要湿电子化学品参与，具体包括曝光后光刻胶的剥离、灰化残留物的去除、本征氧化物的去除，还有选择性蚀刻。

（1）清洗

在集成电路生产中，约有20%的工序与晶圆清洗有关。集成电路制造过程中的晶圆清洗是指在氧化、光刻、外延、扩散和引线蒸发等工序之前，采用物理或化学的方法去除硅片表面的杂质，以得到符合清洁度要求的硅片的过程。晶圆表面的污染物，如颗粒、有机杂质、金属离子等以物理吸附或化学吸附的方式存在于硅片表面或自身氧化膜中，晶片生产每一道工序存在的潜在污染，都有可能导致缺陷的产生和器件的失效，晶圆清洗要求既能去除各类杂质，又不损坏套片。晶圆清洗不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，这就必须采取各种不同的清洗方法和技术手段，以达到清洗的目的。

湿法化学清洗技术在硅片表面清洗中仍处于主导地位。半导体硅片清洗可分为物理清洗和化学清洗，化学清洗又可分为湿法化学清洗和干法化学清洗。尽管干法工艺不断发展，且在某些应用中具有独特的优势，但是大多数晶圆清洗工艺还是湿法，即利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，通常在批浸没或批喷雾系统内对晶圆进行处理，当然还包括日益广泛使用的单晶圆清洗方法。目前湿法化学清洗技术的趋势是使用更稀释的化学溶液，辅之以某种形式的机械能，如超声波或喷射式喷雾处理等。晶圆湿法化学清洗中所用湿法化学品根据工艺不同及加工品质要求的差异，所用的湿法化学品的品种也不同。一般将充当晶圆清洗作用的湿法化学品其划分为四类品种，即碱性类溶液、酸性类溶液、SPM清洗剂、稀释HF清洗剂（DHF）。

（2）光刻和蚀刻

光刻和蚀刻占芯片制造时间的40%-50%，占制造成本的30%。在集成电路的制造过程中，晶圆厂需要在晶圆上做出极微细的图案，而这些微细图案最主要的形成方式是使用光刻和蚀刻技术。光刻是利用照相技术将掩膜板上图形转移到晶片上光刻胶层的过程，包括基片前处理、涂胶、前烘、曝光、后烘、显影等步骤。蚀刻是继光刻之后的又一关键工艺，将光刻技术所产生的光阻图案，无论是线面或是孔洞，准确无误地转移到光阻底下的材质上以形成整个积体电路所应有的复杂架构。

光刻工序中，基片前处理、匀胶、显影和剥离步骤需要使用湿电子化学品。光刻所涉及到的光刻胶配套试剂包括用于光刻胶稀释用溶剂、涂胶前用于基片表面处理的表面处理剂（如六甲基二硅胺烷）、曝光之后的显影剂（四甲基氢氧化铵水溶液）、去除基片上残余光刻胶的去胶剂（包括硫酸、过氧化氢、N-甲基吡咯烷酮及混合有机溶剂组成的去胶剂、剥离液等）。

蚀刻技术可大略分为湿式蚀刻和干式蚀刻两种，湿式蚀刻技术是最早发展起来的，目前还是半导体制造中得到广泛应用的蚀刻技术。湿式蚀刻通过特定的溶液与需要蚀刻的薄膜材料发生化学反应，除去光刻胶未覆盖区域的薄膜，其优点是操作简便、成本低廉、用时短以及高可靠性，选择合适的化学试剂，湿式蚀刻相比干式蚀刻具有更高的选择性；湿式蚀刻的缺点是存在侧向腐蚀（钻蚀）的现象，进而导致图形线宽失真。整体而言，湿式蚀刻因其可精确控制薄膜的去除和对原材料的低损耗，在今后很长一段时间将无法取代。湿式蚀刻的机制，一般是利用氧化剂将蚀刻材料氧化，再利用适当的酸将氧化后的材料溶解于水中。另外，为了让蚀刻的速率延长湿电子化学品的使用时间，常会在蚀刻液中加入活性剂及缓冲液来维持蚀刻溶液的稳定。湿式蚀刻在半导体制程，可用于硅的蚀刻（多采用混合酸蚀刻液，混合酸由氢氟酸、硝酸、醋酸组成）、二氧化硅的蚀刻（多采用氟化铵与氢氟酸的混合液）、氮化硅的蚀刻（多用磷酸蚀刻）、金属（Al、Al-Si）蚀刻（常采用磷酸+硝酸+醋酸蚀刻液）、有机材料蚀刻（常采用四甲基氢氧化铵液）。

湿法蚀刻和湿法清洗从本质和原理来看有相同之处。从本质来讲，选用的化学药液的种类和浓度以及应用的场合决定了到底是蚀刻还是清洗。一般而言强酸强碱用于蚀刻，如高浓度氢氟酸（49%），磷酸（70%）等。低浓度酸碱用于清洗，如水和氢氟酸体积比为：1的混合溶液，低浓度氨水和双氧水混合液等。从原理上讲，湿法清洗也就是轻微的湿法蚀刻。以传统的RCA清洗为例，在清洗过程中晶圆表面材料会被氨水腐蚀掉一部分，然后通过电性排斥的原理去除污染颗粒，从而达到清洗晶圆表面的目的。机台设备方面，湿法蚀刻和清洗均可分为槽式蚀刻（清洗）和单片独刻（清洗），槽式机台一次性能处理50片晶圆，产量较大，它采用浸泡的方式，整个过程中晶圆不断旋转。槽式蚀刻（清洗）的优点是湿电子化学品消耗较低，WPH（waferperhour）高，蚀刻均匀性较好。

2.1.2、年国内半导体用湿电子化学品需求量45万吨

近两年中国大陆晶圆厂进入投产高峰期。随着我国经济结构调整，新兴产业，计算机、消费电子、通信等产业规模将持续增长，大大拉动了对上游集成电路需求，同时，国家信息安全战略层面不断加大对集成电路产业的政策支持力度，我国半导体市场持续快速增长。年以来，中国大陆晶圆厂进入投产高峰期，根据中国半导体行业协会数据，年国内IC制造业产值突破2,亿元，近五年复合增速达24.28%。年国内12英寸、8英寸、6英寸晶圆平均产能分别为80.4万片/月、86.4万片/月、73.8万片/月，中国电子材料协会预计，随着多座半导体十二英寸厂投产，年国内12英寸晶圆平均产能将达到.5万片/月，年国内12英寸晶圆平均产能将达到万片/月。

12英寸晶圆加工主导半导体用湿电子化学品需求。12英寸晶圆面积是8英寸晶圆的两倍，但其制造过程中使用的湿电子化学品达.82吨/万片，是8寸晶圆消耗量的4.6倍，6寸晶圆消耗量的7.9倍，我们测算年我国6英寸及以上晶圆生产中消耗各类湿电子化学品总量约为28.27万吨，其中12英寸的半导体晶圆生产线消耗湿电子化学品20.98万吨，约占总消耗量的74.22%。如果再加上6英寸以下半导体晶圆生产线所消耗的湿电子化学品，以及半导体晶圆加工前的硅片加工用湿电子化学品，我们预计年我国半导体生产所需湿电子化学品超过30万吨。

硫酸、双氧水是半导体晶圆加工中需求量最大的两个品种。从具体产品种类看，年我国晶圆加工用硫酸、双氧水、氨水、氢氟酸、硝酸的消耗量分别为8.88万吨、8.11万吨、2.29万吨、1.56万吨、1.10万吨，用量最大的硫酸、双氧水主要用于前道工序的清洗；功能湿电子化学品中，显影液、蚀刻液、剥离液的用量分别为2.91万吨、1.52万吨、0.47万吨，显影液主要为四甲基氢氧化铵显影液。

年国内半导体行业湿电子化学品需求量有望达45万吨。半导体产业规模在国内继续保持快速增长，对湿电子化学品的需求也将保持较高景气。-年我国新增11条12英寸晶圆生产线和5条8英寸晶圆生产线，年国内12英寸晶圆产能将达到万片/月，较年提升近70万片/月，按照80%的产能利用率，我们测算新增12英寸晶圆产量会带来湿化学品需求增量16.02万吨，再加上其他尺寸晶圆扩产以及硅片加工的需求，我们预计年半导体行业对湿电子化学品的需求量约为45万吨，并且未来三年将保持15%以上的增速。

制程节点的突破将对湿电子化学品等级提出更高要求。光刻工艺一直是现代集成电路领域最大的难题，在年摩尔定律提出后，半导体产业一直以18个月为周期升级半导体工艺，节点制程从1nm演变到了如今的7nm，年三星发布了新一代3nmGAA（闸极全环），台积电宣布正式启动2nm工艺的研发。因此晶圆代工厂在选择湿电子化学品时，会对其纯度提出更高要求。目前，8英寸晶圆生产使用的是G3、G4等级湿电子化学品，12英寸晶圆由于加工方式的改变，对湿电子化学用量大幅增加，并对湿电子化学品的等级提出更高的要求，普遍需要G4-G5等级。随着集成电路制程节点的突破，G4、G5高等级湿电子化学品需求占比将逐渐升高。而国内湿电子化学品达到国际标准且具有一定生产量的30多家企业中，技术水平多集中在G3以下（国产化率80%），G3及以上的湿电子化学品国产化率仅约为10%。

2.2、平板显示：大陆面板产业崛起带动湿电子化学品需求增长

2.2.1、湿电子化学品用于面板制造的显影、蚀刻、清洗等工序

薄膜晶体管是LCD和AMOLED中的重要部件。面板显示行业中两大主流技术，TFT-LCD和AMOLED，其制造过程均可分为三大阶段：前段阵列工序（Array）、中段成盒工序（Cell）以及后段模块组装工序（Module），薄膜晶体管（TFT）在两大显示技术中均发挥了重要的作用。TFT在LCD中充当电路开关的作用，用来控制液晶显示；AMOLED全称主动矩阵有机发光二极体，TFT就是这个“主动矩阵”，即用晶体管控制的开关矩阵。一片表面平滑、没有任何杂质的玻璃基板，制成可用的薄膜电晶体，需要重复清洗、镀膜、上光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻等过程，即Array制程。相较于传统非晶硅（a-Si）TFT-LCD的Array制程，OLED采用低温多晶硅（LTPS）TFT作为基板，因此其具体工序及所用湿电子化学品种类有所差异。

湿电子化学品主要应用于显示面板制造中Array制程的显影、光刻（蚀刻-剥离）、清洗工序。显示面板的前段Array制程与晶圆加工相似，不同的是Array将薄膜晶体管制作于玻璃上，而非硅晶圆上。光刻技术是Array制程中最为核心的内容，通过带有目标图形的掩模版对涂有光刻胶的ITO玻璃进行曝光，受光部分可经显影液溶解，再将露出的ITO膜层去除并剥离多余的光刻胶，便能得到带有目标图形的ITO玻璃。湿电子化学品是面板制造中关键的基础材料，基板上颗粒和有机物的清洗、光刻胶的显影和去除、电极的蚀刻等工序都需要特定的湿电子化学品的参与。

（1）清洗

面板制造过程中，会经过多次玻璃基板、镀膜玻璃清洗工序，需要湿电子化学品的参与。如所使用的玻璃基板在受入前使用湿电子化学品对其清洗干净；在溅镀ITO导电膜之前的清洗加工；在涂敷光刻胶等之前都要采用湿电子化学品对玻璃基板进行清洗，以保证对微小颗粒以及所有的无机、有机污染物清除干净，达到所需要的洁净精度的要求。清洗工序贯穿于Array的整个制程过程，对平板显示的成品率有十分重要的影响。

（2）显影

光刻胶显影，即通过显影液将经过曝光部分的光刻胶溶解，从而将图形从光罩转移到光刻胶涂层上。常用的显影液有四甲基氢氧化铵（TMAH）、氢氧化钾（KOH）等，最常用的是TMAH，它的纯度高，金属离子含量低，显影清洗后基本不留金属痕迹，显影效果也非KOH所能比。杭州格林达是国内显示面板显影液的主要生产供应厂商，其电子级四甲基氢氧化铵（TMAH）产品在全球市场约占25%的份额。

（3）蚀刻

蚀刻工艺分为两种，干法蚀刻和湿法蚀刻，面板制作多采用湿法蚀刻。湿法蚀刻指的是利用湿电子化学品通过化学反应进行蚀刻的方法。主要包括Mo/Al蚀刻液（又称铝蚀刻液）、Cu蚀刻液、ITO蚀刻液三种。Mo/Al蚀刻液用于Array工艺中钼/铝金属层的蚀刻，主要组分是磷酸、硝酸、醋酸及添加剂（硝酸钾、氯化钾）。Cu蚀刻液是由双氧水加添加剂构成的，用在铜电极存在的面板对铜金属层的蚀刻工序中，这是一种较新的制造工艺，京东方、中电熊猫、华星光电已有使用铜电极的高世代线投产，使用的也是铜蚀刻液。ITO蚀刻液用于面板导电膜氧化铟锡（ITO）的蚀刻，目前，市场上的ITO蚀刻液主要为草酸系和无机酸锡，无机酸系一般是硝酸（或醋酸）、硫酸、添加剂和水的混合溶液。

（4）剥离

TFT-LCD制作用的剥离液，是用于去除金属电镀或蚀刻加工完成后的光刻胶和残留物质，同时防止对下面的衬底层造成损坏，剥离液的配方还必须符合剥离工艺。

TFT-LCD面板剥离液以有机溶剂型为主，主要成分是DMSO和MEA。但有机溶剂污染大、成本高，水系剥离液前景更加广阔。江化微已经自主研发出了水系剥离液，剥离效果良好，达到了国外大公司产品水平，目前已大量使用在国内中小尺寸及高世代面板G6线上。

（5）面板薄化

轻薄是显示器发展的主流趋势，高世代生产线相继投入到薄型化产品的生产中。其中单片玻璃的厚度从流行的0.7t、0.63t逐步薄化为0.5t、0.4t甚至0.3t以下的玻璃基板生产的产品都已得到了生产。玻璃基板的薄化工艺分为两种，化学蚀刻和物理研磨，目前化学蚀刻是TFT-LCD业界主流工艺方式，即利用氢氟酸与基板材料二氧化硅发生化学反应并使其溶解的原理，对面板表面进行咬蚀，将面板厚度变薄，达到工艺要求的玻璃基板的厚度。

2.2.2、年国内平板显示用湿电子化学品需求量69万吨

面板行业两大趋势：全球产能向中国大陆转移，小尺寸OLED渗透率快速提升。根据Wind数据，-年全球LCD面板出货量整体保持平稳，年出货量为1.44亿片，同比略微下降0.43%；但大尺寸LCD面板出货面积仍稳步增长，年同比增长5.21%。全球面板产业呈现向中国大陆转移的趋势，年中国大陆面板厂商出货量首次超越中国台湾地区的出货量，位居全球第二，年底国内面板产能首次超过韩国位居全球第一，年国内面板在全球市场的占有率超40%。IHSMarkit预计，到年中国大陆的面板出货量占全球的出货量比例将进一步提升，将占全球总产能的55%。相较于LCD面板，OLED作为一种新型显示面板，具备厚度小、可弯曲、色彩对比度高等优点，在智能手机等小尺寸应用领域实现渗透率的快速提升。根据CINNOResearch数据，年全球OLED智能手机销量3.70亿部，渗透率达到26.3%。由于柔性AMOLED工艺的成熟、成本将接近LCD，OLED在智能手机市场将逐渐取代LCD成为共识，CINNOResearch预计OLED手机渗透率在年将达到69.1%。

中国大陆面板产业崛起，推动国内湿电子化学品需求增长提速。截至年底，中国大陆已经建成投产的LCD、OLED面板生产线产能分别为1.13亿平米、.80万平米。由于OLED面板对洁净度的更高要求以及蚀刻工艺的差别，同等面积OLED面板制造所需要的湿电子化学品用量比LCD更多。根据湿电子化学行业协会数据，单位面积OLED消耗的湿电子化学品量约是LCD面板的7倍。随着多个高世代及OLED面板陆续产线，国内平板显示用湿电子化学品的需求不断增加。年我国LCD面板、OLED面板用湿电子化学品的消耗量分别为29.68万吨、4.40万吨，同比增长13.95%、.61%。从具体产品种类看，剥离液和Al蚀刻液是LCD面板制造中用量最大的两个品种，年国内消耗量分别为9.28万吨和4.86万吨，而Cu电极工艺的发展有望带来Cu蚀刻液的用量大幅增长；OLED面板制造中，剥离液和显影液的用量占比最高，年国内消耗量分别为1.93万吨、1.16万吨。

年国内平板显示行业湿电子化学品需求量有望达69万吨。京东方、华星光电、中电熊猫等多条高世代面板产线建成投产，将进一步增加湿电子化学品的配套需求。根据中国电子材料行业协会的统计数据，年中国大陆LCD面板、OLED面板产能分别达1.69亿平米、9万平米。按照80%的产能利用率，我们测算年LCD、OLED面板制造对湿电子化学品的需求量分别达42万吨、27万吨，行业总需求为69万吨，4-年复合增长率为28.15%，我们预计未来三年将保持25%以上的增速。随着平板显示向高世代发展趋势的加快，对产品的良品率、稳定性、分辨率以及反应时间会有越来越高的要求，相应对高世代线用湿电子化学品提出越来越高的要求。

2.1、太阳能电池：光伏平价上网打开湿电子化学品长期空间

2.1.1、湿电子化学品用于太阳能电池片的制绒、清洗、蚀刻工序

湿电子化学品主要应用于太阳能电池片制造的制绒、清洗及蚀刻。太阳能电池工作原理的基础是半导体P-N结的光伏效应，晶硅太阳能电池是目前应用最广泛的电池，其基本结构是在P型晶体硅材料上通过扩散等技术形成N型半导体层，组成P-N结；在N型半导体表面制备绒面结构和减反射层，然后是金属电极，而在P型半导体上直接制备背面金属接触。太阳能电池片制造的主要工艺步骤包括：绒面制备、P-N结制备、铝背场制备、正面和背面金属接触以及减反射层沉积。晶硅太阳能电池片制程中所用湿电子化学品，主要应用于太阳能电池片的制绒、清洗及蚀刻，其中制绒加工部分的湿电子化学品用量占总消耗量的60%-70%。

（1）制绒

由于太阳能电池硅片切割过程中的线切作用，硅片表面往往存在10-20微米的损失层，因此制备太阳能电池时需利用化学腐蚀去除这层机械损伤层，并进行硅片表面织构化，即制绒。通过化学腐蚀在硅片表面形成凹凸不平的结构，延长光在电池表面的传播路径，减少光反射造成的光损失，从而提高太阳能电池对光的吸收效率。同时，绒面也能对后续组件封装的光匹配有比较大的帮助，可减少组件封装的损耗。

单晶硅采用的碱处理制绒，多晶硅采用的酸处理制绒。目前，晶体硅太阳能电池的绒面一般是通过化学腐蚀方法制作完成。针对不同硅片类型，有两种不同的化学液体系的制绒工艺，过程中使用的碱/酸处理剂，以及配合使用的清洗剂，都属于湿电子化学品范畴。单晶太阳能电池片的制绒加工，是利用单晶片各向异性的腐蚀特性由强碱对硅片表面进行一系列的腐蚀，形成似金字塔状的绒面，所用处理剂为氢氧化钠（或氢氧化钾）、异丙醇（或乙醇）、硅酸钠、绒面添加剂等；多晶硅片的制绒加工，是利用强腐蚀性酸混合液的各向同性的腐蚀特性对硅片表面进行腐蚀，所用的主要处理剂为硝酸、氢氟酸以及添加剂。多晶硅制绒还有机械刻槽、反应离子腐蚀（RIE）等其他方法，但机械刻槽要求硅片厚度在微米以上，RIE设备复杂且昂贵，相对来说，酸性腐蚀法工艺简单、成本低廉，仍是大多数公司的选择。

（2）清洗

太阳能电池片清洗加工，一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污。因此太阳能电池片的典型清洗的工艺顺序为：去分子（超声清洗）→去离子→去原子→去离子→水冲洗。根据清洗杂质的类型不同，清洗过程中使用的湿电子化学品也有所不同。

（3）蚀刻

经过扩散工序后，硅片表面、背面、周边会形成N型层，若不去除边缘的N型层，制成的电池片会因为边缘漏电而无法使用。扩散过程中，硅片表面形成了一层磷硅玻璃（PSG），磷硅玻璃不导电，为了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在沉积减反射膜之前，必须把磷硅玻璃腐蚀掉。太阳能电池片的蚀刻工艺也分为干法和湿法两种，湿法蚀刻应用较多。湿法蚀刻利用HNO3和HF的混合液对硅片表面进行腐蚀，达到同时去除边缘的N型硅和磷硅玻璃的效果。

2.1.2、年国内太阳能电池用湿电子化学品需求量41万吨

我国太阳能电池片产量持续增长。光伏太阳能作为资源潜力大，环境污染低，可永续利用，且使用安全的可再生能源，其开发利用受到世界各国高度重视。我国光伏产业在3-年迅速崛起，已经牢牢占据光伏产业链各环节高点龙。年“政策”以来，国内光伏产业迎来发展阵痛，新增装机量下滑、产业链价格剧烈下跌。但受益于海外需求大涨，国内电池片生产端仍在持续增长。据中国光伏行业协会统计，年国内电池片产量为.6GW，同比上升24.54%，全球市场占比达83%。替代传统能源、光伏产品降本是国内外光伏产业维持增长的驱动力。根据中国光伏行业协会《年中国光伏产业发展路线图》，年国内新增装机量乐观预期可达80GW、全球新增装机量乐观预期可达GW。从产品类型看，多晶硅电池片价格快速下滑，企业盈利困难，高效单晶市占率有望呈现不断提升的趋势。

氢氟酸、硝酸、氢氧化钾是太阳能电池片制造中用量最多的品种。根据中国电子材料行业协会的数据，单多晶硅电池片用湿电子化学品的单位消耗量整体接近。从细分种类看，由于制绒及清洗工艺不同（单晶硅电池片加工为碱制绒、多晶硅电池片加工为酸制绒），单晶硅电池片对氢氧化钾的用量较大，而多晶硅电池片对氢氟酸、硝酸的用量较大。年国内太阳能电池用氢氟酸、硝酸、氢氧化钾的消耗量分别为10.38万吨、8.24万吨、3.71万吨，我们预计，随着单晶市占率的提升，未来氢氧化钾的用量及占比将进一步增加。

年国内光伏行业湿电子化学品需求量有望达41万吨。太阳能电池片生产对湿电子化学品等级的要求较低，只需达到G1等级。随着前几年国内太阳能电池生产制造业的大规模扩产，湿电子化学品需求量也快速增长，国内众多湿电子化学品生产企业实现产业链配套，目前该领域的内资企业占有99%以上的份额。年以来，通威、隆基等电池片大厂均公布扩产计划，根据PVInfoLink预测，年新增电池片产能规划超40GW。综合考虑新项目投产、落后产能淘汰、多晶产能利用率走低等因素，我们预计年国内太阳能电池片总产量达GW，按照3.3吨/MV的单位消耗量，对应湿电子化学品需求量为41.25万吨，我们预计未来三年将保持10%左右的增速。

3、全球湿电子化学品产能重心向亚太转移，政策资金助力国内发展

3.1、以海外为鉴，单点突破是后进者主要成长路径

3.1.1、全球湿电子化学品的发展与集成电路产业密切相关

湿电子化学品的产生与发展与集成电路产业密切相关。20世纪60年代起，大规模集成电路及超大规模集成电路相继出现，对集成电路制造用化学试剂要求更高，湿电子化学品也就是在这一需求市场的变化背景下应运而生，可以说目前国际上在湿电子化学品技术发展方面的重点还在大规模集成电路的应用领域中。同时湿电子化学品也成为电子化学品产业中的一个重要门类，其应用市场还渗透到平板显示、LED、太阳能电池、光磁记录存储体产品等领域中。由于全球湿电子化学品市场的不断扩大，从事湿电子化学品研究与生产的厂家及机构也在增多，生产规模不断扩大。全球湿电子化学品的市场格局经历了三个阶段的变化：

（1）美欧垄断

20世纪80年代至90年代中期，湿电子化学品市场主要由美国、欧洲（主要为德国、英国等）的几家世界知名的化工企业所垄断，它们约占整个世界湿电子化学品市场的65%以上。当时市场占有率较高的主要企业有：德国Merck（默克）公司、美国亚仕兰（Ashland）公司、美国奥林（Olin）公司、美国MallinckradtBaker公司、美国Arch公司、英国的B.D.H公司等，其中以德国默克为最大，其次是日本的一些企业，包括关东化学、三菱瓦斯化学、住友化学、和光纯药公司等。

（2）日本崛起

自20世纪90年代后期起，世界湿电子化学品市场格局发生一些转变。主要是由于日本半导体产业的迅速发展，日本企业的湿电子化学品在生产规模及世界市场占有率方面都得到了较大的发展。日本湿电子化学品企业还大幅度促进了湿电子化学品制造技术的提高。

（3）亚太主导

21世纪前十年代的后期起，随着亚洲其它国家、地区（不含日本）在半导体、平板显示器、太阳能电池等产业快速发展，亚太地区已成为全球湿电子化学品的主导市场，其中中国台湾地区、韩国等湿电子化学品生产企业市场份额得到明显的扩大。陶氏、霍尼韦尔、巴斯夫等公司竞相将电子化学品业务重点放在亚太地区，而部分欧美传统老牌企业在全球市场的份额上出现明显的缩减。

全球湿电子化学品市场三分天下，欧美、日本企业份额逐年降低。根据中国电子材料行业协会数据，年全球半导体、平板显示、太阳能电池三大应用市场使用湿电子化学品总量达到万吨，全球市场规模52.65亿美元。市场格局方面，年欧美传统老牌企业（包括其亚洲工厂）的市场份额（以销售额计）约为33%，较0年减少4个百分点；第二块市场份额是由日本的十家左右生产企业所拥有，总共占27%左右，较0年减少7个百分点；其余市场份额主要是中国台湾、韩国、中国大陆本土企业生产的湿电子化学品所占领，约占世界市场总量38%，近年来这些国家、地区的应用市场大幅扩大，特别是在大尺寸晶圆、高世代液晶面板、OLED面板等湿电子化学品新市场方面，因此中国台湾、韩国、中国大陆等国家、地区的湿电子化学品生产能力、技术水平及市场规模都得到快速发展，替代欧美、日本同类产品的趋势显著。根据中国电子材料行业协会数据，年中国大陆三大应用市场使用湿电子化学品总量约92万吨，对应市场规模约为亿元。

3.1.2、老牌厂商以多元化集团为主，新进者多为专业生产商

全球湿电子化学品行业参与者分为两类：多元化集团与专业型生产商。我们对境外及中国台湾地区的湿电子化学品生厂商进行了全面梳理，其中欧美企业多为传统大型化工企业，具有生产历史悠久、品种齐全、生产基地遍及世界各地的特点，代表性企业如巴斯夫、霍尼韦尔、美国亚什兰、德国汉高，其中巴斯夫5年收购默克的电子化学业务成为业内领先供应商。日本湿电子化学品生企业中既有住友化学、三菱化学这样的综合性化学集团，也有StellaChemifa、关东化学这样技术领先的专业型生产商，目前StellaChemifa是世界最大的高纯氢氟酸企业。韩国主要湿电子化学品企业是东友和东进，它们最早的技术来源于日本，这两家企业都没有韩国电子产业的大集团背景；由于平板显示在韩国发展迅速，此领域两家韩国公司的产品市占率较高，但半导体高端晶圆加工用湿电子化学品仍未实现全面国产化。中国台湾本岛的湿电子化学品生产企业普遍成立于20世纪90年后，其特点是合资公司较多，如台湾东应化是东京应化与台湾长春石化的合资公司，伊默克化学由巴斯夫及关东化学合资，理盛精密是由日本Rasa控股。由此可见，湿电子化学品发展初期需要依赖成熟的化工产业经验、充分的技术积累，大型综合集团的资金优势也使其在产业整合、生产规模、产品种类等方面具备优势；行业后进者多通过技术引进、打造专业型湿电子化学品生产商。

湿电子化学品品种规格繁多，单点突破是新进者较为可行的成长路径。由于湿电子化学品的品种多，每种产品的制备工艺路线、设备及对设备材质的要求各不相同，而且为了保证产品的纯度和洁净度，相关的设备通常不是通用设备。厂商必须根据不同品种的特性来确定各自的工艺路线，独立设计安装主要产品的生产线。在湿电子化学品应用领域逐渐细化的背景下，行业后进者往往选择有限的产品进行生产。我们认为，尽管在发展初期会面临产品结构单一、难以配套供货的劣势，但结合湿电子化学品行业客户验证壁垒高、技术门槛高的特点，通过持续的研发投入实现单点突破、打造细分产品的专业化生产商是新进者较为可行的成长路径。

3.2、国产替代空间广阔，政策资金助力行业发展

3.2.1、我国湿电子化学品行业起步较晚，高等级产品国产化率较低

我国湿电子化学品产业起步较晚，6年进入规模化发展阶段。自20世纪七八时年代中期起至21世纪前十年代中期，中国大陆湿电子化学品企业在规模上、技术水平上都比较低，与国际上的湿电子化学品大型企业相差甚远。21世纪初期我国湿电子化学品的产量不足5,吨，4年达到了1.1万吨左右。自5年以来，国内光伏产业进入规模发展阶段，对湿电子化学品的性能要求门槛相对较低，国内不少湿电子化学品企业进入太阳能电池片行业，生产规模得到快速发展。0年年后，平板显示、IC制造产业相继向中国大陆转移，新市场带来需求量的增加，驱动我国湿电子化学品行业进入大规模快速发展阶段。同时下游光伏行业的调整使得该领域湿电子化学品销售价格大幅下滑，一些有一定生产规模和技术水平较高的企业为追求更高效益而调整产业结构，将更多的湿电子化学品生产量转向半导体、平板显示市场。

国内湿电子化学品产能集中于华东地区，区域发展不平衡。目前国内湿电子化学品生产企业约有40多家，产品达到国际标准，且具备一定生产规模的企业有30多家。这些企业中，外资企业占比很少，多为内资企业和合资企业。在我国湿电子化学品的区域产量分部上，目前华东地区占有绝对的优势，特别是江阴、苏州地区，包括江阴江化微、苏州晶瑞化学、江阴润玛、江阴化学试剂厂等知名内资企业均位于该区域。根据中国电子材料行业协会统计，年华东地区的湿电子化学品产量约占国内总产量的74%左右，江阴、苏州的产量占比分别约为41%、20%。近年来，多个集成电路、面板、太阳能电池项目在中西部落地，如位于湖北的长江存储、武汉新芯、武汉天马G6，位于成都、绵阳的京东柔性AMOLED线，以及通威在成都、眉山的电池片项目等。随着下游产业在中西部地区深入布局，湿电子化学品区域发展不平衡的现象凸显，华东及沿海地区生产商对于内陆的供应需要经过长途运输，高昂的运输成本下，内陆地区亟须更多就近配套的湿电子化学品供应商。

三大应用领域国产化率不一，高等级产品仍待突破。中国大陆湿电子化学品整体技术水平与海外存在较大差距的原因，一方面大陆相关企业起步较晚，另一方面相比于欧美日湿电子化学品产生于大规模集成电路时代、韩国湿电子化学品产生于液晶面板的爆发，中国大陆湿电子化学品是跟随光伏产业发展起来的，因此0年以前内资厂商的技术水平整体停留在G1、G2等级。自1年起我国多家湿电子化学品企业在设备装备上开始进行大规模投资，工艺技术档次也有迅速的提升，能够逐步满足下游显示面板、集成电路日益增长的需求。根据中国电子材料行业协会的统计数据，年太阳能电池、平板显示、半导体领域的湿电子化学品国产化率分别约为99%、35%、23%（按销售供应量计），太阳能电池市场基本满足生产需求，而平板显示、半导体领域的国产化率反而较前两年小幅下降，主要原因是高世代面板线和大尺寸晶圆加工对高等级湿电子化学品的需求增加。具体来看，年我国晶圆加工所用的湿电子化学品，在6英寸及6英寸（一般为0.8-1.2μm、0.5-0.6μm）以下的国产化率为83%左右，在8英寸及8英寸以上（含0.25-0.35μm、28nm-0.18μm）的国产化率不足20%，大部分产品来自进口；年我国平板显示所用的湿电子化学品，在G4.5至G5.5代线的国产化率超过80%，而在G6至G8.5代线的国产化率仅为29%，OLED面板所需的湿电子化学品目前仍有品种被韩国、日本和我国台湾地区的少数电子化学品厂商垄断。由此可见，如果未来能够在高端领域实现进口替代的突破与进展，我国内资湿电子化学品企业发展空间广阔。

3.2.2、政策加码，资金助力，湿电子化学品迎发展契机

由于湿电子化学品在行业发展中的重要性突出，我国在政策上鼓励该产业的发展。近十年来，湿电子化学品也已成为我国化学工业中一个重要的独立分支和新增长点，我国把新兴产业配套用电子化学品作为化学工业发展的战略重点之一和新材料行业发展的重要组成部分，在政策上予以重点支持。“十五”、“十一五”期间我国把湿电子化学品的研发列入“”计划；在8年国家科技部下发《高新技术企业认定管理办法》中，明确列出超净高纯试剂属于国家重点支持的高新技术领域。在4年工信部和发改委联合制定的《4-年新型显示产业创新发展行动计划》中提出，“引导面板企业加强横向合作，对上游产品实现互信互认，鼓励面板企业加大本地材料和设备的采购力度”。在国家政策的引导下，下游本土领军企业积极开展对国产材料的合作研发、验证及配套采购，根据《集成电路产业全书》的数据，中芯国际国产材料累计验证成功项目从0年的6个增至年的51个。

大基金二期即将开始实质投资，湿电子化学品行业迎来新一轮资金支持。国家集成电路产业投资基金（大基金）是为促进集成电路产业发展而设立，4年9月大基金一期成立，募资规模合计1,亿元。大基金一期（含子基金）投资的9家半导体材料企业中，从事湿电子化学品业务的公司有3家，包括晶瑞股份、中巨芯科技、安集科技。但从大基金一期在上下游各领域的投资额占比来看，材料环节的投资力度稍显不足，占比不到2%，低于全球半导体产业链中半导体材料产值11.08%的占比。大基金二期于年10月22日注册成立，注册资本2,.5亿元，较一期的.2亿元有显著提升，投资方向上也将加重上游材料行业。近期大基金管理机构华芯投资表示，大基金二期将在稳固一期投资企业基础上弥补一期空白，加强半导体设备、材料和IC设计等附加值较高环节的投资。随着大基金二期实质投资的正式启动，湿电子化学品行业有望迎来新一轮资金支持。

4、受益标的（略，详见报告原文）

4.1、江化微（608.SH）：三大领域全系列湿电子化学品供应商

4.2、晶瑞股份（655.SZ）：拳头产品达G5等级，打入高端市场

4.3、巨化股份（160.SH）：旗下凯圣氟化学是国内领先的电子级氢氟酸生产商

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（报告观点属于原作者，仅供参考。报告来源：开源证券）

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